国防科技大学联合中国科学院金属研究所研究团队，在后摩尔时代芯片核心技术领域取得重大突破，在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域实现关键突破，有望为我国自主可控芯片技术提供核心材料与器件支撑，相关成果已在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。据悉，原子级厚度的二维半导体，凭借迁移率高、带隙可调、栅控能力强的核心优势，被公认为后摩尔时代芯片材料的核心候选。但长期以来，晶格缺陷诱导的自发电子掺杂